纳米氧化铪行业要闻

1. 技术突破：山东大学团队 3D FeFET 架构获国际顶会认可 刷新铪基器件性能纪录

山东大学陈杰智教授团队四项铪基存储芯片研究成果亮相国际电子器件领域顶会 IEDM 2025，其中联合新加坡国立大学开发的 3D FeFET 架构实现重大突破。该架构采用三层堆叠纳米片结构，在 HZO（氧化铪锆）薄膜上实现超 4V 存储窗口，沟道面积较平面器件减少 80%，50nm 超短沟道器件耐久性超 3×10¹⁰次，兼容后段工艺集成。另一项超薄铁电器件研究制备出 3nm HZO 薄膜堆叠结构，矫顽电压低于 0.65V，击穿电场超 9.5MV/cm，综合性能达国际 3nm 级最佳水平，获大会最佳学生论文奖提名。(来源：山东大学新闻网，12 月 19 日行业传播)

2. 技术解密：电子全息术首次可视化 HZO 铁电隧道结电场分布

12 月 19 日《自然 - 通讯》刊发法国与德国联合团队研究成果，首次利用原位电子全息术直接测量 Hf₀.₅Zr₀.₅O₂铁电隧道结内部电场。研究量化了界面电荷密度，实时观察到极化翻转的 “成核 - 侧向生长” 完整机制，澄清了长期争议的物理机理。通过构建 W/HZO/Al₂O₃/W 器件结构，经 5000 次唤醒循环后剩余极化强度达 8.5μC・cm⁻²，为优化铪基器件界面设计、提升存储可靠性提供关键实验依据。(来源：生物通，12 月 19 日 08 时 43 分)

3. 企业动态：三祥新材联合南京佑天 半导体级氧化铪国产替代提速

三祥新材与南京佑天战略合作进入关键落地期，双方共建的研发中心完成 4N 级半导体氧化铪中试线连续量产验证。通过 40 级萃取工艺实现 5N 级产品稳定输出，成本降至 100 万元 / 吨以下，首年可副产 50-70 吨氧化铪，优先匹配核级锆配套需求。项目按计划推进 2025 年半导体级氧化铪 100% 国产替代目标，后续将启动 7nm 以下制程前驱体技术攻关。(来源：雪球、韭研公社，12 月 19 日行业动态更新)

4. 国际合作：德企联合布局 FeRAM 生产线 铪氧化物成核心材料

德国 FMC 公司与半导体巨头 Neumonda 达成战略合作，在德累斯顿投建先进 FeRAM（铁电存储器）生产线，这是欧洲大陆十余年来首次恢复本土存储芯片产能。项目采用 10nm 以下制程兼容的氧化铪作为铁电层，成功将存储容量从传统 4-8MB 提升至 Gb-GB 级别，同时保持非易失性与低功耗优势。双方将利用专用测试系统搭建从研发到量产的完整产业链，推动铪基存储技术规模化应用。(来源：搜狐网，12 月 19 日行业转译)

5. 政策联动：稀土出口许可落地 铪基材料供应链稳定性提升

商务部 12 月 18 日宣布批准部分稀土出口通用许可申请，标志着稀散金属贸易进入精细化管理阶段。作为锆英砂伴生资源，铪的开采利用受益于战略性矿产保障政策，《战略性矿产国内找矿行动纲要》明确 2025 年铪储备量目标 5 吨。政策导向推动铪基材料出口向高附加值产品倾斜，助力国内企业参与全球半导体材料供应链竞争。(来源：雪球、今日头条，12 月 19 日政策解读)

6. 应用拓展：哈工大超晶格技术突破 铪基薄膜铁电稳定性跃升

哈尔滨工业大学陈祖煌教授团队联合西湖大学，开发出氧化铪 / 氧化锆外延超晶格薄膜技术。该技术通过脉冲激光沉积制备（111）取向结构，实现 4-100nm 宽厚度范围稳定铁电性，远超传统 HZO 固溶体薄膜（＜10nm）。循环性能提升至 10⁹次，矫顽场低至 0.85MV/cm，为铪基材料在大功率器件、柔性电子等领域的应用突破提供新路径。(来源：哈尔滨工业大学新闻网，12 月 19 日技术转化动态)

7. 市场行情：纳米氧化铪价格稳中有升 高端品类供需紧张

2025 年 12 月 19 日市场报价显示：

5N 级（99.999%）电子级氧化铪：10000-11000 元 / 千克，半导体前驱体用货需求旺盛，供应偏紧

4N 级（99.99%）半导体级：8900-9300 元 / 千克，较昨日上涨 1.2%，受 FeRAM 生产线建设带动

原子能级氧化铪：600-700 万元 / 吨，核工业采购稳定

99% 含量工业级：6000 元 / 千克（武汉地区出厂价），基础需求平稳。(来源：中国报告大厅、行业内参报价，12 月 19 日)

8. 材料创新：中科大研发多功能 HZO 薄膜 兼容 DRAM 与 FeRAM 应用

中国科学技术大学李晓光团队通过调控 Hf/Zr 比例并插入 Al₂O₃/TiO₂层，成功制备准同型相界结构 HZO 薄膜。该材料介电常数达 42（10kHz），漏电流低至 5.1×10⁻⁸A/cm²（0.6V），满足 DRAM 电容器要求；同时具备 40μC/cm² 剩余极化强度，经 10¹¹ 次循环后仍保持稳定铁电性，可直接用于 FeRAM 器件。基于该材料制备的 3D 柱状电容器已在 DRAM 生产线验证通过，实现 “一材两用” 突破。(来源：中国光学期刊网，12 月 19 日行业应用快讯)